采用硅绝缘体晶圆，Renesas有望采用32nm工艺实现SRAM

日期：2007-06-25

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        Renesas Technology公司日前宣布，该公司拥有利用硅绝缘体(SOI)晶圆、采用32nm及以上工艺实现SRAM的技术。Renesas指出，该技术可以控制各个晶体管的底层电压，提高了工作极限。 
        Renesas表示，该技术适合带逻辑电路的片上内存，如用于微处理器的缓存内存。 
        Renesas已经采用65nm CMOS SOI工艺生产出2Mb SRAM原型，并证实，与不使用该技术相比，工作下限电压大约提高了100毫伏。Renesas指出，读取裕量(read margin)提高了16%左右，写入裕量(write margin)则提高了20%左右。晶体管的电气特性变化降低了19%左右。 
        Renesas Technology预期将在日本京都举行的VLSI技术2007座谈会上演示一份有关32nm SRAM技术的报告。

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