攻克芯片漏电难题，TI高-K介电薄膜技术带来曙光

日期：2007-07-02

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        德州仪器公司(TI)宣布在其45纳米高性能芯片中使用高-K介电薄膜，从而进入高-K介电薄膜新时代。

        TI计划在栅层叠应用中使用高-K介电薄膜，因为传统二氧化硅材料快用完了。多年来高-K介电薄膜一直被考虑用于处理芯片设计中的漏电和功率问题。 

        TI计划在Sun Microsystems的Sparc芯片中首次使用高-K介电薄膜，并在45纳米及其以后的芯片继续使用。 IBM、Intel和NEC已经分别宣布了使用高-K介电薄膜的工艺，TI的高-K介电薄膜具有一定的优势。 

        通过使用氮化CVD技术，TI能够在不降低其他参数的情况下解决漏电的问题。

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