日期：2007-07-06 来源：

        富士通公司近日宣布，富士通株式会社和富士通实验室已正式开发出具有低功耗和高性能互连技术的45纳米（45nm）LSI逻辑芯片平台技术。与以前的45nm技术相比，新平台可使等待状态时泄漏电流降低至五分之一，同时还可使互连延时缩短14%左右。 

        这些新一代45nm平台技术的成功开发将使富士通能够为客户提供更高速度、更小尺寸、更低功耗的LSI逻辑芯片。
此项新技术的详细情况已在 2007年VLSI技术研讨会上进行了阐述。

        为了支持不同设备中各种功能的拓展以及满足设备上使用多处理器内核的需求，LSI逻辑芯片的性能要求不断提高，这最终要求LSI逻辑芯片达到更高的集成度。面对这些趋势，对于45nm级别的逻辑技术，为了实现更高的集成度和速度提升，能够降低设备功耗的技术正变得越来越重要。

        为了提高LSI的集成度，在所有新一代的设备中，需要缩短每个晶体管中的栅极长度并减小互连导线的宽度和之间的间隔。此外，为实现高速还需要使LSI芯片内的亿万晶体管之间的互连延时缩短到最低限度。