日期：2007-07-27 来源：

        德国BASF Future Business GmbH在2007年7月18日起召开的“有机材料科技展2007——有机科技展国际会议”上，介绍了适合于CMOS技术的有机半导体材料的开发情况。与使用硅时相比，利用新开发的有机半导体材料和印刷技术，能够以低于CMOS的成本，简单地制造出CMOS电路。  

　　BASF举出的p型有机半导体材料为P3HT（聚3-己基噻吩）。印刷法制作的晶体管的载子迁移率为0.07cm2/Vs，电流开关比为104左右。n型有机半导体材料为PDI8-CN2（N,N-Dioctyl-Dicyanoperylene-3,4:9,10-bis(Carboximide，羧酰亚胺)）。利用印刷法制作的晶体管的载子迁移率为0.05～0.1cm2/Vs，电流开关比方面，PDI8-CN2为106左右。P3HT和PDI8-CN2均已开始提供样品。  

　　此外，新的p型和n型有机半导体材料还在开发之中。正在开发的p型材料在利用真空蒸着法制作晶体管时，载子迁移率仅为0.04 cm2/Vs，但电流开关比可确保在106左右。正在开发的n型材料在真空蒸着法制作晶体管时，载子迁移率为0.4cm2/Vs，电流开关比为106左右。相对于溶剂的溶解度为40mg/ml，较PDI8-CN2的6mg/ml有所提高。今后，BASF计划使p型和n型有机材料都能够通过使用溶媒的印刷法，得到与蒸着法相同程度的载子迁移率。