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Zetex高性能晶体管提升电源功率密度
日期:2007-08-22 来源:

        模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors(捷特科)公司,推出一系列微型NPN及PNP晶体管,以迎合新一代电源|稳压器设备中MOSFET栅极驱动需求。全新的ZXTN及ZXTP晶体管是首次采用SOT23FF封装的双极器件,占板面积为2.5×3mm,板外高度只有1mm。它们可提供更低的饱和电压和更高的电流增益保持,有助于改善电路效率和降低工作温度。

 

        Zetex亚太区销售副总裁李锦华表示:“我们最新的双极晶体管能够支持20V至100V的工作电压,使MOSFET栅极能以更高速度、更具效率地运行,胜过同类CMOS集成电路。它们同时还具有抗锁定功能,从而提升整个系统的可靠性。另外,由于产品采用SOT23FF封装,因此可以安装在最靠近MOSFET的位置,有助于降低线路电感和振铃效应。”

 

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        20V的ZXTN19020CFF和ZXTP19020CFF能保证在7A和5A电流下分别提供100和110的增益。如果采用共发射极配置连接,它们更能提供极快速的切换,传播时间少于2ns,升降时间在10ns和20ns之间。该类产品的峰值电流性能高达15A,是用于栅极驱动集成电路极具成本效益的替代产品。

 

        在用于POL DC-DC模块和应急照明设备的、采用自振荡和推挽拓朴结构的饱和式开关应用中,晶体管的低饱和电压能力可提供显著的优势。以额定电压为60V的ZXTN19060CFF NPN产品为例,它在1A电流和10mA基极驱动下的饱和电压仅为150mV,在2A电流和40mA基极驱动下为135mV。

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