日期：2007-10-09 来源：

        2007年10月2日，美国科罗拉多州春城，美国国际公司（交易代码：RMTR），一个领先的非易失性铁电随机存储器（F-RAM）和半导体产品的开发商和供应商，以2兆位平行存储设置扩展了高密度F-RAM的系列产品。FM21L16 是2Mb,3伏，平行的非易失性RAM、44管脚、TSOP-II 封装。以读写速度快、无等待写入、无限次读写循环、低电压损耗为特性、异步静态RAM管脚兼容（SRAM）为特性。FM21L16 着眼于基于SRAM的工业控制、仪表、医疗、汽车、军队、游戏机和电脑的应用。

        “Ramtron的第二代F-RAM装置是由德州仪器（TI），Ramtron的合作伙伴出产，是高密度独立的存储器系列的下一代产品。” Duncan Bennett，Ramtron市场战略经理讲，“FM21L16 为MRAM、电池支持的SRAM(BBSRAM),以及NVSRAM提供了一种节省成本的替代品，除此之外，提供了低成本的解决方案和小封装产品，F-RAM比MRAM 消耗慢，对备用电压的需求低，不需要电池或者机载电容器来保持数据，BBSRAM 和 NVSRAM也是同样”。

FM21L16  的特性

        FM21L16 是一个具有行业标准的平行接口的128K x 16 非易失性存储器，其以总线速度读写，读速的持续性至少有100万亿，并且具有大于10年时间数据存储能力。该设置具有60纳秒的储存时间，一次的循环时间是110ns ，包括一套先进的用来阻止写入失误和数据错乱的写入保护方案。

        2Mb F-RAM 是一个标准异步SRAMs的掉入代替品，其不需用电池来支持数据，因此极大地提高了元器件和系统的可靠性。与电池支持的SRAM不同，FM21L16 是一个真正表面安装的解决方案，不要求电池附件重复工作，不会因湿度和震颤而遭到破坏。

        利用目前高性能的微型处理器的行业标准的平行接口,FM21L16以高速读写方式使写入峰值达到80兆字节/秒，提供了市场上最快的非易失性存储解决方式。该设置比标准SRAM具有更低的电流，读写18 milliamps，超低电压休眠状态在 5 microamps。 其运作区间在2.7-3.6V，整体工作温度在 -40~+85 摄氏度以上。更多产品信息，请登录www.ramtron.com/highdensityFRAM/default.asp 

价格和供货情况

       目前FM21L16 样片可用，符合RoHS， 44管脚，薄型小外型封装-II。10,000 套以 $12 起价。