日期：2007-10-24 来源：

     晶圆代工大厂联电昨（22）日宣布与日本DRAM大厂尔必达（Elpida）策略联盟，双方将合作投入低介电质（Low-K）铜导线的动态随机存取内存（DRAM），及相位变化随机存取内存（PRAM）的技术开发。联电亦成为力晶之后，尔必达在台湾的另一个重要合作伙伴。 

　　据了解，联电将授权尔必达使用其低介电铜导线制程技术，以应用在尔必达的DRAM产品制程上，尔必达则允许联电将尔必达的DRAM技术应用在嵌入式DRAM制程上，作为先进系统单芯片解决方案的一部份。至于在PRAM技术的合作案部份，联电及尔必达将共同进行开发，结合尔必达在硫族化合物（GST）材料的专业硅智财，与联电在互补金属氧化（CMOS）逻辑制程进行整合。由于尔必达现阶段是力晶标准型内存产能及技术合作伙伴，尔必达取得联电相关授权后，力晶也将受惠。联电及尔必达的合作案同时也为联电开启跨入DRAM市场大门。

　　联电表示，尔必达是全球DRAM技术领导厂商，联电拟透过此次合作，将更尖端的嵌入式系统单芯片解决方案提供给晶圆代工客户。尔必达亦表示，低介电质铜导线技术可协助驱动高效能DRAM的生产，同时有助于制程持续微缩，达到高速化、低消费电力、大容量化的目标。