IBM技术联盟选择TEL高K介质设备开发45nm技术

日期：2007-10-25

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IBM技术联盟日前表示将采用东京电子(TEL)的高K电介质设备用于45nm技术研发。

　　IBM技术联盟成员包括：AMD、特许、英飞凌及三星。TEL与IBM在高K技术上的合作已有一段时间，目前，IBM正在使用TEL的CVD设备开发45nm及以下节点栅叠工艺。另外，TEL即将把设备发至AMD德国Dresden的300mm工厂内，特许尚未收到TEL设备，而至于三星和英飞凌是否接获到该设备还没有确切消息。

　　逻辑领域两大主要的栅堆叠阵营包括取代栅极(replacement gate)和前栅极(gate first)。据报道，Intel公司正在开发45nm节点的取代栅极技术，而IBM公司成为前栅极方案的支持者。

　　在技术开发上，IBM选择使用TEL的设备，而Intel采用ASM International BV的设备。另外除了TEL与ASMI外，Applied，Aviza, Genus, Hitachi Kokusai, IPS等公司也在开发高K介电设备。

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