日期：2007-11-12 来源：

        金属-绝缘体电子技术采用第二层绝缘体和金属，取代了金属氧化物半导体(MOS)组件中的半导体，因而形成‘金属-绝缘体-绝缘体-金属’的四层堆栈架构。使得该技术顺利运作的主要原因在于：两种金属及其绝缘体经过仔细裁剪后，在只允许高能量穿隧效应的绝缘体间有效地形成了一个量子阱。因此，当施加于顶部金属的电压超过其阈值时，弹道传送机制产生作用，因而加速穿隧电子通过间隙。

　　“我们促进了通过氧化层的量子穿隧效应，而氧化层厚度总共也才60埃(0.6nm)左右。”Phiar公司总裁兼执行长BobGoodman说道，“由于量子穿隧是一种传送机制，它发生的速度比半导体领域中的任何事物都快，在我们的组件中是飞秒(10-(SUB/)15(/SUB))数量级，这将打破半导体的物理定律。”

　　因此，金属-绝缘体组件的最高频率已达3.8THz，而半导体由于不可避免地会降低电子流动速率，因此目前CMOS半导体的最高速度只能达到60GHz，SiGe半导体也只有400GHz。

　　金属-绝缘体技术据称在制造方面比高速芯片技术更容易，因为它采用的是与CMOS晶圆厂相同的成熟制程步骤，而且组件几乎可以在所有基板上制造──即使是在消费性组件的塑料外壳内面上也一样行得通。