三星量产50纳米NAND闪存芯片

日期：2007-11-27

来源：

三星电子宣布在美国得克萨斯州的生产设施已经开始大批量生产50纳米 NAND闪存芯片。这个生产设施是在2007年6月开始投产的。三星电子在2007年至2008年将向这个生产厂投资35亿美元。

　　NAND闪存是目前两种闪存芯片之一，用于在优盘、存储卡和MP3播放机中提供更大的容量和更快的速度。

　　这家公司的一位发言人James Chung称，三星将在位于得克萨斯州奥斯汀的工厂使用先进的50纳米技术用300毫米晶圆制造芯片。

　　这条心的生产线最初的产量为每月2万个16GB NAND闪存芯片。到2008年，产量将提高到6万个。

　　三星电子还宣布投资22亿美元扩大46英寸和52英寸液晶电视生产线。

返回列表

近期更新

锦锐科技推出高集成、低功耗、高抗干扰CA51F2系列增强型MCU;FLASH容量：8K/16K/32K可选

2022-09-15

锦锐公司推出加湿器专用MCU

2022-09-15

锦锐公司推出智能照明专用MCU

2022-09-15

BL32F32x2 光模块微控制器

2022-08-22

华大半导体获得2022中国IC设计成就奖之十大中国IC设计公司

2022-08-22

Consultant related

Sales Service Line：
+86-0755-82127888

Technical Support line：
+86-0755-82127938

Complaint line：
+86-0755-82127989