ST成功制造出首批采用CMOS 45nm RF技术功能芯片

日期：2007-12-14

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　　据电子工程世界网站报道，意法半导体日前宣布该公司成功地制造出了第一批采用CMOS 45nm射频(RF)制造技术的功能芯片。这项尖端技术对于下一代无线局域网（WLAN）应用产品至关重要。

　　这些系统级芯片(SoC)是在ST的法国Crolles 300mm 晶圆生产线制造的，原型产品集成了从初级RF信号检测到下一步信号处理需要的数字数据输出的全部功能链。这些原型芯片具有最先进的性能和最高的密度，低噪放大器、混频器、模数转换器和滤波器都工作在1.1V下，整个电路仅占用0.45mm2。

　　ST的半导体成就归功于公司开发CMOS RF衍生技术的研发战略，衍生技术是企业在标准CMOS核心技术平台基础上自主开发的能够为特定应用领域带来附加值的改进技术。ST的模拟射频衍生技术允许电阻、电容和电感等无源器件与高性能、高密度的数字逻辑功能单元集成到一起。

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