台积电步入无high-k材料32纳米工艺时代

日期：2007-12-26

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晶圆代工厂巨头台积电称已开发出了可以支持模拟和数字功能的32纳米技术。在声明中最引人注意的地方是这是首项32纳米，低功耗技术，这种技术不需要采用high-k闸极电介质和金属闸极电介质来得到需要的工作特性，消息来自台积电。除此之外，通过193－纳米浸没光刻实现了a 0.15-micron2 高密度SRAM单元，利用了两次图形曝光技术，该公司介绍说。

该公司通过向设在华盛顿的IEEE 国际电子组件大会提交论文宣布了此项技术。论文同时介绍了台积电已经验证了 2-Mbit 的SRAM测试芯片的完整功能，其最小的位单元在32纳米结点上。这项前沿技术已经在低功耗，高密度和制造毛利方面采用复杂的优化过程进行了优化。

台积电在其45纳米制程上没有使用high-k闸极电介质和金属闸极电介质。据推测，台积电会在32纳米结点上使用high-k 材料。目前还不确定台积电是否在其32纳米晶圆制程上采用high-k材料。

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