IBM和R&H合作开发抗反射涂层材料面向32纳米及以下节

日期：2008-02-28

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　　IBM、Rohm&Haas电子材料部日前签署了一项共同开发协议，针对目前光刻技术的主要问题，为32纳米及以下节点设计开发新型抗反射材料。

　　双方计划开发全新248纳米和193纳米波长材料，包括底部抗反射涂层（BARC）和顶端抗发射涂层（TARC）。

　　“我们没有开发全新光阻材料，但关注于BARC和TARC。”Rohm&Haas发言人表示，“我们也并非单纯关注于248纳米，而是关注于制作193纳米和248纳米注入层的抗反射材料。”

　　Rohm&Haas微电子技术总裁James Fahey说道：“和IBM合作将加速新材料的开发并确保我们的发展可以满足32纳米及22纳米节点的需要。”

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