台积电将推40纳米芯片耗电量减少15%

日期：2008-03-26

来源：

　　3月25日消息，台积电本周一披露了其第一个40纳米生产工艺技术，并且表示将在未来三个月内用这种技术生产出第一批晶圆。

　　40纳米技术是芯片厂商对以前的45纳米工艺技术进行微调的结果。这个工艺把浸没式光刻技术和极低功率的材料结合在了一起。台积电称，这种工艺将生产出目前市场上尺寸最小的SRAM芯片单元，芯片尺寸可缩小到0.242平方微米。台积电称，通过从45纳米向40纳米的过渡，电源|稳压器消耗将减少15%。此外，新的40纳米节点显然能够让LP芯片和G芯片提供比65纳米工艺高2.35倍的芯片闸密度。

　　台积电表示，新的低功率40LP芯片将用于敏感型应用，如便携式设备和无线设备。40G芯片将用于处理器、图形处理器、游戏机、网络和FPGA设计以及大量的其它消费电子产品中。

　　40G芯片和LP芯片将在台积电的12英寸晶圆工厂生产。

返回列表

近期更新

锦锐科技推出高集成、低功耗、高抗干扰CA51F2系列增强型MCU;FLASH容量：8K/16K/32K可选

2022-09-15

锦锐公司推出加湿器专用MCU

2022-09-15

锦锐公司推出智能照明专用MCU

2022-09-15

BL32F32x2 光模块微控制器

2022-08-22

华大半导体获得2022中国IC设计成就奖之十大中国IC设计公司

2022-08-22

Consultant related

Sales Service Line：
+86-0755-82127888

Technical Support line：
+86-0755-82127938

Complaint line：
+86-0755-82127989