日期：2008-03-28 来源：

        为设计创新、价格优势以及技术进步而定制的FM22L16
 
        2008年3月18日-全球领先的非易失性铁电随机存取器（F-RAM）和集成半导体产品开发商和供应商Ramtron国际公司，今天宣布其FM22L16荣获《今日电子》（Electronic Products China）颁发的年度产品奖。FM22L16，作为半导体行业第一个4兆位（MB）非易失性的F-RAM存储器，在数以百计的产品中，成功地满足了设计创新、价格优势以及技术进步的评审标准。

        “Ramtron团队为这项荣誉感到非常自豪，”Ramtron亚洲太平洋区域总监Alex Tsui说：“FM22L16采用了德州仪器（TI）先进130纳米制造工艺。F-RAM是理想的非易失性记忆体解决方案，有潜力改变记忆体的前景，特别是德州仪器F-RAM优化的CMOS制程，可以提供更多新的单机和集成化产品的机会。FM22L16受到《今日电子》编辑组的高度认可，这是非常令人鼓舞的消息。”

关于FM22L16
        FM22L16是目前密度最高的F-RAM产品。FM22L16是采用44引脚、薄型小尺寸塑胶（TSOP）封装的3V，4Mb并列式非易失性FeRAM，具有高存取速度、几乎无上限的读/写次数、以及低功耗等特点。其与非同步静态RAM（SRPAM）脚位相容，适用于诸如机器人、网络和资料储存应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多其他以SRAM为基础的系统设计的工业控制系统。

        FM22L16为256K x 16之非易失性记忆体，以工业标准并列式界面进行存取，存取时间为55ns，周期为110ns。该元件以总线速度进行无延迟（NoDelay）读写，具有至少1e14 (100-万亿)次写入的耐久性，以及10年资料保存能力。

        FM22L16是一款表面黏着解决方案，与SRAM不同的是，其不需要与电池相连，这极大得改进了元件与系统的可靠性；而且不需要重写步骤，并具有高度耐抗湿、抗冲击和振动的特征。通过与目前高性能微处理器的工业标准的并行接口，FM22L16的高速页面模式可以高达80Mb/秒的速度，是市场上最快的非易失性记忆体解决方案。该元件比标准SRAM具有更低的工作电流，读/写操作时为18mA，在超低电流睡眠模式下仅为5uA。FM22L16能在整个工业温度范围（-40℃至+85℃）内以2.7V至3.6V电压工作。更多关于FM22L16以及高密度F-RAM产品的信息，请浏览www.ramtron.com/highdensityFRAM/default.asp  for more product details。

        本新闻稿涵盖是依照《1995年美国私人证券诉讼改革法案》（Private Securities Litigation Reform Act of 1995）的安全港规定而作出的涉及风险、不确定性的前瞻性陈述，包括但不仅限于：全球经济形势的影响，供求变化，市场接受，竞争产品和价格的影响，产品开发，商业和技术困难，以及供应限制因素。关于此类风险，请联系Ramtron证券交易委员会咨询。