现代半导体将削减NAND闪存产量

日期：2008-04-03

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　　据储存行业消息人士透露，目前由于储存行业普遍存在供过于求，产品价格急剧下滑，韩国现代半导体公司决定削减它的NAND闪存产品的产量。

　　消息人士指出，现代半导体削减的闪存产量大约占全球闪存总产量的5%，这一举措在第二季度期间大约需要二个月时间才能够对市场产生影响。

　　目前现代半导体在它的8英寸晶圆工厂采用57纳米工艺制造NAND闪存，由于8英存晶圆工厂的NAND闪存产品已经没有成本效益，该公司同时寻求出售它的二个8英寸晶圆NAND闪存制造工厂（工厂代号为M8和M9）。出售工厂的计划同样也符合公司减少产量的决定。

　　消息人士解释说，采用更先进的下一代48纳米制造工艺生产闪存产品可能具有更多的成本效益，但目前现代半导体的48纳米制造工艺尚未成熟。现代半导体发现最适宜的产品组合才能够获得最大的利润，因此公司决定削减采用57纳米制造工艺的闪存产品的产量。

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