日期：2008-04-11 来源：

       2008年4月8日--非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体开发商及供应商Ramtron International Corporation今天宣布推出业界首个2兆位(Mb)串行F-RAM存储器。FM25H20是采用8脚TDFN(5.0 x 6.0毫米)封装的3V、2Mb串行非易失性FeRAM,同时采用了先进的130纳米CMOS工艺, 具有高密度、高存取速度、几乎无限的读/写次数、低功耗、小体积和高速串行外设接口(SPI)等特点。FM25H20可以帮助系统设计人员, 降低成本和减少电路板空间, 适应于一系列先进的应用包括计量和打印机。

        对于需要低功耗和最小化电路板空间的精密电子系统应用, FM25H20是串行Flash存储器最理想的替代品。这些应用包括便携式医疗设备, 如助听器，其本质上属于小型数据处理器, 有着极限空间和低功耗的要求。F-RAM优胜于Flash的特点包括超低操作电流、快速写入, 其读写耐力要高出Flash数量级。

        “2Mb F-RAM是为计量和打印机的客户而设计的, 可以增强其新一代应用的数据收集能力, 同时又不会增加电路板空间。FM25H20与0.5Mb的串行F-RAM相比，空间相等, 但容量增加到四倍,”Ramtron策略经理邓肯班尼特说:“除了加强现有的系统, 这一技术发展推动F-RAM进入了一系列需要低功率和极小空间的新市场, 如便携式医疗设备”。

产品特点

        FM25H20是256K×8非易失性存储器, 以高达40MHz总线速度读写, 具有无限次的耐久性和低操作电流,以及10年的数据保存能力。FM25H20包含了一个工业标准SPI接口, 优化了F-RAM高速写入能力。此外,还具有硬件和软件写保护功能, 防止意外写入和数据破坏。

        这种2Mb串行F-RAM具有更低的工作电流, 40MHz速度读写时小于10毫安, 待机时80微安(典型值), 在超低电流睡眠模式下仅为3微安(典型值)。FM25H20与其他同等串行Flash存储器引脚兼容, 但其快速存取时间、高寿命、低操作电流远优于Flash存储器。FM25H20在整个工业温度范围（-40℃至+ 85℃）于2.7V至3.6V电压工作。您可登陆: www.ramtron.com/products/nonvolatile-memory/serial-product.aspx?id=100 .

关于先进的130纳米工艺

        FM25H20采用了德州仪器的130纳米(nm)的CMOS制造工艺, 只需两个额外掩膜步骤即可将非易失性的F-RAM模块嵌入标准的CMOS130纳米逻辑制程。

价格和供货

        FM25H20样品采用8引脚TDFN封装, 符合RoHS标准, 并与8引脚SOIC封装兼容。10,000片单价为10.20美元起。

关于Ramtron

        Ramtron International总部设在美国科罗拉多州Colorado Springs市，是专门设计、开发和销售专用的半导体存储器和集成半导体解决方案的无晶圆厂半导体公司，产品广泛用于各种应用和全球市场。要了解更多信息，请访问公司网站www.ramtron.com。