日期：2008-05-19 来源：

F-RAM以更快的速度取代EEPROM应用于低功耗的安全/防爆产品

        2008年5月6日- 领先的非易失性铁电随机存取记忆体（F-RAM）和集成半导体产品开发商和供应商-Ramtron国际公司（Nasdaq：RMTR）今天宣布，中国威尔泰工业自动化有限公司，领先的压力变送器和磁性流量计供应商，采用Ramtron FM25l16- 16 kilobit串行的F -RAM记忆体设计其2000S安全压力变送器。F - RAM取代EEPROM应用于威尔泰公司新的安全、防爆发射机。

        智能压力变送器，越来越受复杂程控制行业的欢迎，如化学品，制药，电力，水处理，食品加工等。2000S可以提供许多先进的功能，如双向沟通，远程校准和自我诊断。这些特点使其具有更高的精度、可靠性以及更先进的通信协议，从而降低启动和维修的时间，精力和开支。

        2000S在一个单封装中结合了传感技术和智能电子。非易失性的F - RAM存储器-快速写入，高耐力，和低功耗-在这先进的设计是一个完整的成分。2000S的F- RAM存储了配置参数，如变送器的范围，信号类型，流体性质等，并能在电源断开时保留数据，所以当使电源恢复时，变送器可以立即准备就绪使用。

        F-RAM 也节省了2000S自动自校准例程的校准/补偿数据，并执行事件和数据记录，该系统可采用这些数据诊断是否需要维护。

        “我们已采用F - RAM取代EEPROM应用于智能和安全的2000S变送器，以延长写入速度和读写耐力，以及改善对潜在爆炸的整体安全性， ” Welltech研发工程师解释说： “在第一次进行2000S设计时，我们采用EEPROM，但它未能通过电力消耗测试，因为其总操作电流小于3.6毫安。F -RAM的低功耗，可以保证原本安全度，而其快速写入减少智能压力变送器的可变性和微处理器（微控制器）消耗。”

        原有安全度： 2000S是“本质上安全” 。这意味着其设计是用来来防止释放的能量导致引燃易燃材料，并引起爆炸。因此，它需要一个操作电流非常低的记忆体装置如F -RAM。

        减少可变性：F -RAM的快速写入对于减少计算过程中测量的可变性，是非常重要的。这会产生更准确的测量，自我诊断，更大的系统控制，并提高效率。

        减少微处理器消耗： 2000S包含一个进行复杂计算的微处理器。由于在智能压力变送器的应用中，处理会更加密集， F - RAM快速写入的优势，可以缓解微控制器的消耗。

关于FM25L16和F-RAM
        F- RAM存储器提供RAM技术的好处，而且是非易失性。F–RAM具有 nodelay ?写入，几乎无限的读写次数（写入周期约1e14） ，低功率消耗等特点。FM25l16是一个16 KB的F–RAM，采用符合工业标准的串行外设接口（SPI），以高达18兆赫总线速度读写，操作电流低；相对而言，EEPROM器件写入延误和轮流检测软件，耐力有限，写入周期低于百万，功率高。FM25l16采用无铅、8引脚SOIC和DFN封装，在工业温度范围3V下工作。

关于ramtron 

        ramtron国际公司，总部设在科罗拉多州斯普林斯，科罗拉多州，是一家无晶圆厂半导体公司设计，开发和推广专用半导体记忆体和集成半导体解决方案中使用的范围广泛的产品应用和全球市场。更多信息，请访问www.ramtron.com 。

关于上海welltech自动化

        上海welltech自动化有限公司，奇摩，主要活动是制造和销售工业自动化设备及仪器。其他活动包括设计，承包和开发自动项目，并提供相关技术服务。主要产品有mv2000t，wt3000 ， 2000年，wt1151s和核安全级2000sn和mv2000tn系列压力变送器，氙，xem和wt4300e系列电磁流量计和工业自动化系统。成立于1992年，上海welltech自动化（上海威尔泰工业自动化股份有限公司）是一个附属的江组（紫江集团）。与250 +雇员，上海welltech是在中国的前三名压力变送器和磁性流量计供应商。上海welltech是ABB的ODM合作伙伴，为压力变送器和磁性流量计产品在中国。