日期：2008-05-20 来源：

　　STW55NM60ND快速恢复MOSFET晶体管新产品系列提高了开关性能，使导通电阻实现超过18%的降幅。

　　STW55NM60ND是新的超结FDmesh II系列产品的首款产品，这是一款600V N沟道MOSFET晶体管，0.060欧姆的导通电阻在快速恢复MOSFET晶体管市场上创下最低记录，采用工业标准的TO-247封装。由于最大漏极电流达到51A，在对空间有严格要求的电信设备和服务器系统转换器中，可以用一个MOSFET晶体管替代多个标准器件。再加上降低的损耗实现更高的热管理效率，新产品让设计工程师大幅度提高功率密度。

　　新的FDmesh超结架构在传统的带状MOSFET结构中融合垂直结构，同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外，通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻，这些技术改良更能提高开关效率，降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性，特别是在桥式拓扑中，包括在低负载下的零压开关（ZVS）结构，使新产品具有很高的dv/dt值。

　　采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能，每款封装都让快速恢复MOSFET晶体管具有极低的导通电阻。其中，STP30NM60ND采用TO-220封装，额定漏极电流25A，导通电阻0.13欧姆；STD11NM60ND采用DPAK贴装封装，漏极电流10A，导通电阻0.45欧姆。

　　STW55NM60ND现在已开始量产。