日期：2008-05-30 来源：

        Ramtron （展位111 ）将展示非易失性F-RAM存储器如何驱动下一代汽车创新及F-RAM记忆体作为理想的事件数据记录器。

        2008年5月7日-全球领先的非易失性铁电随机存取记忆体（F-RAM）和集成半导体开发商和供应商Ramtron国际公司（Nasdaq：RMTR），将在中国上海参加今年的中国国际汽车电子产品与技术展览会（AES）。 Ramtron将着重展示其非易失性的F-RAM记忆体产品如何推动下一代汽车引擎下和车内应用的创新，如车载应用，安全性和事件数据记录。展览会将于2008年5月19日至21日在上海国际会议中心举行，展位111。

        F-RAM技术适用于广泛的智能化、高含量的汽车应用，包括数据密集的导航系统，功能丰富的音频系统和快速数据记录要求，先进的汽车安全系统，如事件数据记录器（EDRs）。 Ramtron的1级（ 125摄氏度）和三级（ 85摄氏度）AEC Q100项目和零缺陷的持续承诺，使得F – RAM得到领先的汽车供应商接受, 应用于不同领域.

        “ Ramtron的F – RAM适用于当今最复杂车辆的引擎温度，” Ramtron战略营销经理邓肯班尼特说: “F –RAM具有快速写入,高耐力以及低功耗的特点，是下一代汽车应用最理想的选择。

        “全球领先的汽车零部件供应商都在使用我们的汽车F - RAM记忆体产品，应用于汽车部件, 例如智能安全气囊，稳定控制,停车协助，动力总成，积极操纵，驾驶舱仪表和音频娱乐， ”班尼特先生继续: “ AES公司是一个很好的平台, 可以说明F - RAM技术，如何协助本地汽车产业在汽车设计推动创新。”

        5月20日下午3时的展会上，，贝内特先生举行一个技术研讨会，题为： “事件的数据记录(EDR)：未来的强制规定”。EDR类似飞机上的黑盒子，用于记录意外的关键数据，如速度、加速度、油门的位置、刹车状态、安全带状态、安全气囊状态、 ABS状态以及稳定控制系统，以帮助确定意外是如何发生的。美国政府机构使用EDRs协助他们的汽车事故调查，反过来又帮助汽车制造商和民间工程师在设计汽车和公路时，不断改进安全和性能。F - RAM是理想的记忆EDRs ，因为它具有快速写入、高耐力和低功耗的特点。与EEPROM相比，F –RAM写入速度要快1000倍，次数要多1亿倍以上，而功耗较小：F - RAM存储数据的间隔超过EDR，所以在断电时，可以确保数据的完整性。

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