日期：2008-06-11 来源：

　　据SemicondutorInternational网站报道，KLA-Tencor公司推出最新的叠对测量系统Archer 200，搭载强化的光学系统，在32nm节点中协助客户达到两次图形曝光(Double-patterning lithography，DPL)所需的高要求，大幅提升性能。

　　KLA-Tencor持续投注于先进成像技术，推动自身产品线的叠对技术不断前进，研发工程师在Archer 200系统的核心光学设计上获得重大突破。相较于上一代的Archer系统，这些研发结果让机台的一致性提升超过50%，产能增加25%。其中，机台间的一致性是叠对测量中一项关键的衡量标准，为此不同的系统必须达到几乎完全相同的层对准。这个强化的光学系统还搭载了重新设计的光路，能够通过更多的光，因而测量更快，产能也随之提高。新的图像管理演算法，能够加速系统运作、降低杂讯，进一步提升产能和精准度。

　　32nm节点对叠对测量带来了两项独特挑战：更高的芯片密度及两次图形曝光。为了客服这两项挑战，客户必须增加叠对取样，更有效的运用先进叠对目标。Archer 200让芯片制造商能够使用更符合业界标准的AIM目标，或者更小的uAIM目标，可以被置入芯片内部的不同位置。这种强化的叠对目标性能，足以最大化曝光对准，进而最大化设备产能。

　　客户还可以选择在Archer 200上增加KLA-Tencor先进的散射测量技术，在达到特定32nm以下的线宽测量要求中，拥有更大的灵活性。Archer 200系统提供配备先进散射叠对测量功能的模组作为选项，可以实现次纳米级的总度量误差，让有兴趣的客户能够采用此技术而无需更多的专属系统。

　　Archer 200系统已被多家芯片制造商采纳，运用于逻辑晶圆厂和存储晶圆厂的45nm生产及32nm研发，包括美国、欧洲及韩国等地区。