2008年6月17日，Ramtron国际公司(Nasdaq: RMTR), 世界领先的非易失性铁电器(F-RAM)和集成半导体产品的开发商和供应商。日前UK能源优化有限公司宣布，ZigBee和蓝牙的设计者和开发商已将Ramtron的FM25L512 512-kilobit (Kb) 串口F-RAM 存储装置设计进其 Plogg?无线能源管理系列插件中。F-RAM的无延迟读写，真正持久，低压消耗能够提供快速多次数据记录，并且可存储在应用中的测量、监测和控制能源消耗精密电压仪器中。

        Plogg 检测能源使用于家庭生活、医学、办公等等，在缓冲器中应用数据记录伏特/高级移动电话服务/千瓦/千瓦小时，测量出13个不同变量，这个无线精密仪器插件可评估能量使用状况，可使使用者减少消耗、节省资金和保护环境。Plogg通过蓝牙或ZigBee技术和可用电压向计算机实时和远程控制提供无线数据进行传输。

        “我们将F-RAM设计进Plogg以获得最佳数据记录。”能源优化部总经理Shaun Merrick讲到。“设计Plogg时，传输数据非常迅速和频繁， EEPROM 的持久性能不足，太快到达。满足该应用的自然非易失性存储替换产品是F-RAM，它具有真正的无限持久性能。”

F-RAM替换EEPROM用以最佳数据记录 

        在Plogg中，F-RAM提供快速可靠的数据存储，在1分钟到1个月的时间间隔内，可用于高达5000的测量数值和其有关数据/时间的标记。当记录为1分钟间隔时，EEPROM的持久极限很快被达到，因此要求产生一种可替换的非易失性记忆存储器。最佳选择就是F-RAM，它可真正无限次读写，不易失败。

关于FM25L512 和F-RAM

        F-RAM存储器采用RAM技术的优势，不过它是非易失性存储器。F-RAM 提供无延迟读写存取，真正持久无限次读写（大约1e14读写周期），低电压消耗。FM25L512是一种具有行业标准SPI的512KbF-RAM装置。

        该装置在总线速度高达20 MHz 情况下持续读写，并提供低电电流正常运行。EEPROM 装置写入长时间延迟，持久性能少于100万写入周期，并使用较高的电压运行。FM25L512 ，无铅，8个引脚SOIC，TDFN包装。 工业温度单位内，FM25L512 以3伏电压正常运行。欲知更多产品情况，请登陆 www.Ramtron.com/products/nonvolatile-memory/serial-product.aspx?id=10.