三星与海力士联合开发450毫米晶圆工艺的MRAM

日期：2008-06-27

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　　三星公司(Samsung)与海力士半导体公司(Hynix)，两家韩国最大的芯片公司，近日对外宣称，两家将计划联合开发自旋扭矩转换式磁性随机存储器(STT-MRAM)并使之标准化，从而成为采用450毫米晶圆工艺的该芯片市场的领军人。

　　上述消息的宣布来自于汉城举行的一次半导体商与政府部门的集会上。两家公司解释道，这一联盟是出于电子关键技术本地化发展的考虑，从而避免支付专利费给外国公司的情况。

　　从事STT-MRAM研发的合资公司，将定于今年9月挂牌成立。据称，如果该合资公司运作成功，三星与海力士将会击败来自日本公司的竞争，并可以避免向日本支付大额专利费。

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