卓芯微电子推出RCR1565FB双P沟道增强型场效应管

日期：2008-07-14

来源：

　　卓芯微电子(Innova Semi)推出双P沟道增强型场效应管产品RCR1565FB。P沟道增强型场效应管采用高密度DMOS生产工艺，具有极低的导通电阻，并且在低至1.8V的栅极电压下仍可正常开启。

　　RCR1565FB主要应用于基于TI平台的手机设计方案的充电线路，其基本电路如下图所示：

　　电源|稳压器管理器件通过控制栅极电压，达到控制两颗PMOS的开关频率的目的，PMOS中的寄生二极管可以防止VBAT电流倒灌。

　　RCR1565FB具有以下特点：

　　极小的导通电阻使器件在工作状态下产生极少的功率耗散，提高了能效；

　　采用DFN2×2封装(2.0×2.0×0.55mm)，节约pcb占板面积，其0.55mm的厚度更是有利于超薄机型设计；

　　在器件腹部增加了散热片，大幅提升器件额定功耗和散热能力，防止PCB热损伤，提升整机安全性。

返回列表

近期更新

锦锐科技推出高集成、低功耗、高抗干扰CA51F2系列增强型MCU;FLASH容量：8K/16K/32K可选

2022-09-15

锦锐公司推出加湿器专用MCU

2022-09-15

锦锐公司推出智能照明专用MCU

2022-09-15

BL32F32x2 光模块微控制器

2022-08-22

华大半导体获得2022中国IC设计成就奖之十大中国IC设计公司

2022-08-22

Consultant related

Sales Service Line：
+86-0755-82127888

Technical Support line：
+86-0755-82127938

Complaint line：
+86-0755-82127989