日期：2015-02-10 来源：

Ramtron第一代新型串/并口高速F-RAM系列装置

        科罗拉多春城，2008年9月9日，Ramtron国际公司（Nasdaq: RMTR），全球领先的非易失性铁电随机访问存储器（F-RAM）和集成半导体产品的开发商和供应商，日前宣布新型F-RAM系列产品第一代装置，可实现高速读写，低压运行，功能可选性。第一代Ramtron V系列产品FM25V10，1-megabit (Mb), 2.0 至 3.6伏，串口外围接口（SPI）非易失性RAM是8个管脚，SOIC包装，快速存取，无延迟写入，读写次数1E14，低压损耗。FM25V10是工业控制中1Mb串口Flash和串口EEPROM存储器的理想替代品。广泛应用于仪表、医学仪器、汽车电子、国防、电子游戏和其他计算机。此外，SPI, I2C以及并口F-RAM V系列产品已计划于2008年推广。

        "Ramtron 的F-RAM V系列产品基于，我们的客户要求低压运行，集成减少板子空间，同时整合装置成本"，Ramtron市场经理，Duncan Bennett解释说，“通过高密度的F-RAM生产工艺，我们装置的性能已得到增强，我们F-RAM产品V系列可在更宽范围电压内运行。”

关于FM25V10

        与串口Flash存储器或串口EEPROM不同，FM25V10以总线速度可无任何延迟完成写入操作，允许数据快速写入存储矩阵。下一个总线周期可在无数据推进的情况下开始，与串口Flash和串口EEPROM相比，FM25V10还提供大于8兆位命令更有持久性，实际功耗低于十分之一。

        高性能的F-RAM容量使FM25V10成为非易失性存储的理想选择，多次或快速数据写入或者低电压操作。应用范围包括满足高速频繁数据收集，到满足因潜在数据丢失无法要求工业控制串口Flash或EEPROM的长时间写入。

        FM25V10有一个只读装置ID，唯一序号和/或系统重新设置选项。装置ID提供厂商信息，产品密度，产品装置的修订。唯一的序列号允许主机有一个不同于全球其他主机的ID。系统复位设置选项除去系统外部复位部件。

        FM25V10在工业温度范围 -40°C 到 +85°C之间正常运行，这时仅消耗3 mA 运行至40MHz SPI 时钟频率，备用90mA，休眠模式下5 mA 。 FM25V10 实际功耗38 mA per MHz，即一个比串行闪存或EEPROM产品量级低的电流。

关于F-RAM V系列产品

        Ramtron和德州仪器已开始进行被验证的130nm CMOS 生产工艺流程，Ramtron F-RAM 产品V系列将包括多种并口存储器、串口I2C和SPI存储器。先进的制造工艺使得装置规格提升和性能的增加。另外，RamtronV系列产品计划在2008年底被重点引进，SPI产品密度，I2C，并口。所有串口F-RAM V系列产品能被作为附加设备安装，包括唯一的串口编号方式以及系统复位选项。

价格和实用性

        FM25V10 样品符合目前RoHS要求，8管脚 SOIC包装。大宗采购单价 $6.51 起。