日期：2015-02-10 来源：

Ramtron新型高速F-RAM产品系列第一代并口产品装置

2008年11月10日，科罗拉多春城，Ramtron国际公司（Nasdaq: RMTR），全球领先的非易失性铁电随机访问存储器（F-RAM）和集成半导体产品的开发商和供应商，，日前推出Ramtron新型高速F-RAM产品系列第一代并口和串口产品装置，可低电压运行，具有功能可选性。Ramtron最新V系列F-RAM产品是FM28V100，1兆位（Mb）,2.0伏至3.6伏，并口非易失性RAM为32管脚 TSOP-I包装，具有快速读取，无延迟写入，几乎无限次读写，低电压损耗。FM28V100是一种1Mb后备电池SRAM理想的升级产品，在工业控制、医疗、汽车电子、军用、游戏以及计算机应用等等领域广泛使用。除FM28V100之外，Ramtron最近新发布了512Kb FM25V05 和1Mb FM25V10 串口SPI V产品系列。

“相比Ramtron产品字节宽度的组合，FM28V100使成本更低、性能更高，1兆位，可以替代。” Ramtron 市场部经理Duncan Bennett解释到，“FM28V100为那些想去掉他们系统里的电池或外部电容器的后备电池或NVSRAM的使用者们提供了一种优化方式。”

About the FM28V100

FM28V100是一种128K x 8非易失性铁电随机存储器(F-RAM)，读写跟标准的SRAM一样，在掉电后仍可保存数据。FM28V100剔除了后备电池SRAM（BBSRAM）可靠性考虑、功能不足、系统设计复杂性的不足外，还可保存数据10年多。

FM28V100的系统运行与其他RAM装置相似，可使它作为标准SRAM的设计替代品。读写周期通过切换芯片使能脚或简单的改变地址来触发。F-RAM存储器之所以是一个非易失性产品，是由于其独特的铁电存储过程。它是需要频繁或快速写入非易失性存储器应用的理想选择。该装置在 -40°C 到 +85°C的工业温度范围内正常运行。