企业快报
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日期：2015-02-10
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Ramtron第二代新型高速F-RAM装置串口装置 “FM25V05提供给我们的客户另外一种关于产品存储空间密度的选择,它低电压操作,并且融合了Ramtron V系列 F-RAM产品的所有特性,"Ramtron市场经理Duncan Bennett进一步讲到，“并且含有F-RAM产品的附加装置,它们将为我们的客户的产品系统提供一种多样化的接口方式和产品存储空间密度的选择。” About the FM25V05
2008年11月10日，科罗拉多春城，Ramtron国际公司（Nasdaq: RMTR），全球领先的非易失性铁电随机访问存储器（F-RAM）和集成半导体产品的开发商和供应商，日前推出新型F-RAM产品第二代串口装置，其具有高速读写功能，低电压操作，功能可选性特点。FM25V05是一种512(Kb),2.0伏至3.6伏,串口外围接口(SPI)非易失性RAM,8管脚,SOIC包装,可以现实快速存取,无延迟写入,1E14读写周期,低电压损耗.FM25V05是串口Flash 和串口EEPROM存储器理想的替代品,在工业控制,仪器仪表,医疗,汽车电子,军用,游戏以及计算机应用等领域具有广泛使用.除了512Kb FM25V05,最近发布的1兆位 FM25V10也具有同样优点.
与Flash存储器或串口EEPROM产品不同,FM25V05以总线速度无延迟进行写入运行.F-RAM允许数据立即写进存储矩阵。数据可以连续写入高达每秒40megabits。与串口Flash和串口EEPROM相比，FM25V05可发出更具持久性，电压损耗更低的指令。
高性能F-RAM使FM25V05成为那些需要频繁或快速写入或较低电压操作的非易失性存储应用型产品的理想选择。由于潜在数据的丢失，从收集快速数据（写入周期很关键）到要求工业控制串口Flash或EEPRM装置的长时间写入，这样的应用范围是不切合实际的。
FM25V05具有一个只读装置ID，并且可以通过唯一序号和/或系统选项重置接受指令。该装置ID可以提供有关厂商，产品存储空间密度，产品装置修改的信息。唯一序号使得主机具有一个ID，这个ID不同于世界上任何一个ID。该系统重置选项可不需要外部系统重置系统元件。
FM25V05在工业温度范围 -40°C 至 +85°C之间正常运行，当处于40MHz SPI时钟频率时，仅消耗3 milliamps；在待机状态下消耗90 microamps ；在休眠模式下消耗5 microamps。FM25V05提供了一种标准的每兆赫(兹)38microamps 的电压消耗，相对于串口Flash或EEPROM同样的产品，它执行更低电流的指令。
Pricing and Availability 价格和适用性
FM25V05样片目前符合RoHS要求，SOIC 8封装。大宗采购每批$4.66起。
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