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美国Rambus将开发拥有TB/s级带宽的存储器系统技术
日期:2015-02-10 来源:

  美国Rambus技术总监(Technical Director)Steven Woo在2008年12月8日于东京都目黑雅叙园举行的“存储器系统研讨会”上发表了演讲,介绍了该公司推进的“Terabyte Bandwidth Initiative”的进展情况。这是在一个SoC与多个DRAM间实现1TB/s带宽的存储器系统技术,一部分将用于该公司的新一代DRAM规格“XDR 2”。

  Woo表示微处理器、图形处理器和SoC多核化正在迅速发展,因此,存储器系统需要较此前更高的带宽和降低耗电量。

  为了满足这种需求,Terabyte Bandwidth Initiative中使DRAM的Command/Address(C/A)线和数据线全部采用“Fully Differential Memory Architecture(FDMA)”技术的成对差动传输方式。此前的“XDR”中,C/A线没有采用差动传输方式。

  FDMA利用了时钟频率为500MHz时,1对差动传输线可实现16Gbps数据通信的“32X Data Rate”技术。该技术结合C/A线采用的“FlexLink C/A”技术,可减少C/A线的数量,通过在减少的部分增加数据线数量,进一步提高了带宽。与DRAM通信的SoC端子数量有所限制的目前状态下,FDMA变得尤为重要。另外,Woo还介绍了通过减小差动传输线上信号的振幅来降低耗电量的技术。

  Rambus计划利用上述关键技术于2010年之后推出XDR 2。XDR 2将利用时钟频率为800MHz时,1对差动传输线可传输12.8Gbps数据的“16X Data Rate”技术。届时,基于32根数据线的每个DRAM芯片将实现51.2GB/s的带宽。同时使用16个这样的芯片即可实现TB/s级的带宽。

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