Diodes推出自保护式低端MOSFETZXMS6004FF

日期：2015-02-10

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　　Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出世界上体积最小的全自保护式低端MOSFET。该ZXMS6004FF器件采用2.3×2.8毫米扁平式SOT23F封装，较其它采用7.3×6.7毫米SOT223封装的大型零件节省八成半电路板空间。

　　扁平式SOT23F封装虽然体积小巧，但热性能却十分强劲。凭借这种优点，ZXMS6004FF的封装功率密度是同类较大封装器件的三倍。另外，这款最新IntelliFET器件的导通电阻只有500mΩ，能够把功率耗散保持在绝对最低值。

　　ZXMS6004FF把静电释放、过压、过流及过温保护功能融合于单一高热效封装，为器件本身及负载提供完善保护，并有助减少组件数目、印刷电路板尺寸及系统的整体成本，迎合多元化汽车及工业应用的需要。该器件极为纤巧，故成功开创了把自保护式MOSFET整合于空间有限应用的先河。

　　该器件的额定连续电流为1A，并已通过AECQ101品质标准，能抵受60V负载突降瞬变。其逻辑水平输入为3.3V或5V，可直接以微控制器输出来驱动。

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