日期：2015-02-10 来源：

　　中微半导体设备(上海)有限公司(以下简称中微公司)目前所研发的等离子体刻蚀设备用来加工几十纳米的微观结构，是12英寸芯片生产线的关键设备。

　　坚持自主创新高起点发展半导体设备

　　2007年，中微公司在日本SEMICON展会期间正式发布该产品，但产品刚上市就赶上了半导体行业的低谷期。中微公司CEO尹志尧认为，对中微公司来说，在产业的低谷期也有潜在的好处，就是芯片制造厂商可以有时间来评估一个新的设备供应商，中微公司提供的帮助他们降低生产成本的设备将获得商机。

　　中微公司自成立之日起就一直坚持自主创新。至今，拥有自主知识产权的PrimoD-RIE12英寸65纳米刻蚀设备，已经在亚洲三个地区一流的12英寸芯片生产线试运行，并获得好评。今年，中微的刻蚀产品将会进入亚洲更多地区的一流生产线。中国自主开发的芯片制造设备以高起点第一次走向世界，开启了与美、日先进设备企业正面竞争的时代。

　　中微公司的介电质等离子体刻蚀设备已通过从90纳米到45纳米芯片的几十次测试，这证明了中微公司的产品具备了同美国和日本最先进设备的竞争力，单位投资的输出量高达35%到50%，加工每片芯片成本平均降低30%到35%。

　　立足中国及亚洲市场将关注焦点集中到技术上

　　中微公司非常关注亚洲市场。尹志尧认为，全球新建的IC制造工厂有60%-70%位于亚洲，因此，中微公司将产品研发和生产运营基地设在上海，全球销售总部设在新加坡，在亚洲五个地区都有当地的销售及客户支持团队。去年，中微公司的介电质刻蚀设备在亚洲的4家IC制造厂得到应用，其中包括代工厂、逻辑产品制造厂和DRAM制造厂。据介绍，中微公司的去耦合离子刻蚀设备(D-RIE)将高频率射频电源|稳压器和低频率脉冲相结合，领先于其他主要的介电质刻蚀的同类设备。

　　中微公司的刻蚀机产品系列将增加新的成员。尹志尧介绍，新产品是制作3D金属连线所需的去耦合离子刻蚀(D-RIE)设备。他说：“我们的主要客户都非常关注硅通孔(TSV)3D刻蚀设备。我们将给业界提供性能优越、输出量高、成本低的硅刻蚀设备。”尹志尧认为，中微公司植根亚洲，将有助于中国半导体企业在政府支持下不断地建设新的IC制造工厂。

　　从长远来讲，中微公司扎根亚洲尤其是中国将获益匪浅。尹志尧表示：“我们看到，中国政府的确把支持半导体产业的发展放在了非常优先的位置。半导体产业是信息社会的基础，半导体产业必将获得更多的支持。”“我知道，中国半导体产业的发展还需要一个较长的过程，因为对中国来说很多东西都是新的。我坚信，通过不断的学习和奋斗，中国的半导体产业一定会发展壮大。”尹志尧表示。

　　人才聚集资金充裕成功商业模式助力产品市场

　　中微公司———一个以中国留美回国人员为主，在政府的大力支持下，由中国和美国等多国风险投资公司投资，8个国家和地区的人员参与的极具国际化的新兴公司，开发的具有竞争力的高端半导体设备，走向亚洲和世界市场将是不言而喻的事。

　　中微公司2008年完成了第三次融资，获得5800万美元的投入，2008年10月14日资金全部到位。

　　中微公司不久还将得到更多的资金。在国际金融危机的严峻局势下，中微公司能得到如此巨大的资金，充分证明了中微公司正确的商业模式和产品的竞争力，市场的认可度和投资者的信心。

　　尹志尧表示，全球介电质刻蚀设备的年销售额一般在20亿-30亿美元之间，中微公司一直以来非常关注该领域。随着客户的生产工艺迈向40纳米乃至30纳米，中微公司将继续致力于提高芯片加工的均匀性和可靠性；而且针对不同的产品，如DRAM、逻辑产品和NAND闪存，中微公司将提供更加灵活和创新的解决方案。