日期：2015-02-10 来源：

　　在2007年收购了IR的部分分离半导体和模组产品线之后，Vishay成功的在半导体业界留下一个全新的印象。IIC 2009上，这家在全球分离半导体市场和无源元件市场拥有多项第一的美国公司成功展示了其作为一站式元件市场领导者的形象。一系列采用了突破技术的产品受到与会工程师的关注。

　　Vishay高级应用工程师吴际介绍了该公司此次参展的两大类产品。首先要介绍的是其Power IC。其中其专利产品第三代TrenchMOS在Rdson和Qg上都有了新的改良，性能有近3成的提高。而同样是第三代产品的DrMOS则将封装从原有的8x8mm进一步降低到6x6mm，散热性能也较第二代DrMOS有了10%的提高。“与其他竞争对手相比，Vishay的DrMOS产品线更加完整。”吴际说。此外，吴际还介绍了该公司采取了PowerPAK SO-8封装的P沟道功率MOSFET，据称导通电阻仅有1.9m Ω。

　　吴际谈到，mos管目前有两个技术趋势。一个是在Rds和Qg上做文章。另外一个趋势则是向更小型的封装不断推进。比如Vishay就率先在业界推出了采取PowerPAK SC-70和SC75的MOSFET以及能够提供两面散热的PolarPAK封装。此外，该公司还推出了MICROFOOT这样具有更小空间的封装供用户选择。“MOS管方面目前业界可以做到的最小封装是SOT923，Vishay是少数提供这种技术的供应商之一。”

　　无源器件方面，吴际特别推荐的是该公司的HE3液钽高能电容器。HE3采用SuperTan技术的独特封装设计，能够在高能应用中提高可靠性和性能。据称，该公司已经占据了全球液钽高能电容市场80%的份额。在美国市场表现则更胜一筹。他表示，尽管这种电容的单价很高，寿命也没有铝电容高，但是却非常适合于军方等特殊雷达电源|稳压器等场合。

　　谈到此次参展IIC2009，吴际表示，尽管Vishay的产品在国内市场早就随处可见，但是却存在着渠道不清的毛病。“此次推广就是要加强服务，因为一个产品的推广不仅要靠技术，服务也非常重要。”

Visahy的Power IC展品