日期：2015-02-10 来源：

　　凌力尔特公司推出纤巧 2mm x 3mm DFN-12 封装、宽输入电压范围同步降压型开关 DC/DC 控制器 LTC3854，该器件能驱动所有 N 沟道功率 MOSFET 级。4V 至 38V 的输入范围满足多种应用需求，包括大多数中间总线电压和电池化学组成。强大的片上 MOSFET 栅极驱动器使大功率外部 MOSFET 能够用范围为 0.8V 至 5.5V 的输出电压产生高达 20A 的输出电流。这使 LTC3854 非常适用于数据通信、电信、工业、汽车、医疗和多功能打印机应用中的负载点调节需求。

　　恒定频率电流模式架构提供固定的 400kHz 工作频率。LTC3854 具有一个片上 5V 电源|稳压器|稳压器，从而无需独立的偏置电压为该芯片供电。OPTI-LOOP补偿允许瞬态响应在宽输出电容和 ESR 值范围内得到优化，包括全陶瓷电容器设计。输出电流检测测量输出电感器 (DCR) 或一个可选检测电阻两端的压降。在短路和过载情况下，电流折返限制了 MOSFET 热耗散。此外，LTC3854 具有可调软启动，以控制接通时间并控制浪涌电流。可选连续或断续电感器电流模式可用来安全地为预偏置负载供电。防贯通保护防止功率 MOSFET 中的贯通电流。LTC3854 以高达 96% 的占空比工作，具有非常低的压差电压，以延长电池供电应用的运行时间。LTC3854 具有一个精确的 0.8V 基准，在 -40oC 至 85oC 的工作温度范围内具有 ±1% 的准确度。

　　LTC3854 有现货供应，以 1,000 片为单位批量购买，起价为 1.65 美元。

　　性能概要：LTC3854

　　·VIN 范围：4V 至 38V

　　·VOUT 范围：0.8V 至 5.5V

　　·强大的片上 N 沟道 MOSFET 驱动器

　　·内置 5V 稳压器

　　·小型 2mm x 3mm DFN-12 封装

　　·防贯通保护

　　·电流模式控制

　　·安全地为预偏置负载供电

　　·DCR 或 RSENSE 电流检测选项

　　·输出折返电流限制

　　·可编程软启动

　　·40kHz 固定工作频率

　　·96% 最大占空比

　　·在 -40℃至 +85℃的温度范围内具有 ±1% 的基准电压准确度