日期：2009-09-02 来源：

非易失性存储及无限读写特性实现数据可靠性

2009年9月1日——世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存储器FM14C88，适合RAID(磁碟阵列)存储服务器及主机总线适配卡 (HBA card) 等应用。

与nvSRAM相比，FM14C88的读写速度更快, 工作电压更低。FM14C88 的容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，采用工业标准300mil宽度的32脚SOIC封装，具有高速访问、无延迟(NoDelay™) 写入、几乎无限的读写次数及低功耗等特点，是取代BBSRAM (电池供电的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)等存储器的理想方案。

Ramtron市场拓展经理李鸿钧称：“FM14C88的引脚和功能与CY14B256L和 STK14C88-3 等nvSRAM兼容，具有实时非易失性写入和快速上电运作等优势，不像nvSRAM需要大电容或BBSRAM需要电池来支持断电时的数据存储。对比BBSRAM和nvSRAM等方案, FM14C88更能节省成本和基板空间，简化生产，提高产品的可靠性。”

关于FM14C88

FM14C88 在系统内的工作方式与其它 SRAM 器件类似，可以用作标准 SRAM的兼容替代器件。只需开启芯片的使能引脚或改变地址，就可进行读写操作。由于F-RAM存储器采用独特的铁电存储器工艺，具有非易失性的特点，所以非常适合需要频繁或快速写入数据的非易失性存储应用。FM14C88可在整个工业环境温度范围(-40°C至 +85°C)工作。

FM14C88 F-RAM器件的特性包括：

• 无延迟 (NoDelay™) 写入
• 页面模式工作频率高达33MHz
• 无需大型存储电容器，不存在与电容相关的品质和成本问题
• 即时进行非易失性写入操作
• 上电恢复时间为250us，比nvSRAM快100倍
• 引脚和功能与CY14B256L和STK14C88-3兼容
• 60 ns存取时间，90 ns读写周期时间
• 电源电压2.0V – 3.6V
• 90 uA待机电流 (典型值)
• 7 mA工作电流 (典型值)
• 32脚“绿色”/RoHS SOIC封装

FM14C88 并口存储器已获得全球著名RAID供应商选用，其高性能、高可靠性和低成本的优势已获得业界公认。

关于Ramtron International

Ramtron International 总部设在美国科罗拉多州Colorado Springs市，是专门设计、开发和销售专用半导体存储器和集成半导体解决方案的无晶圆厂半导体公司，产品广泛用于各种应用和全球市场。要了解更多信息，请访问公司网站www.ramtron.com 。