日期：2009-10-29 来源：

　　XC2404A816UR-G采用低消耗电流CMOS 工艺，用于GPS 的1.6GHz LNA（低噪声放大器）特瑞仕半导体 (总经理：藤阪 知之，日本东京) 在业内率先开发了采用CMOS 工艺，用于GPS 的1.6GHz LNA（低噪声放大器）。

　　目前大部分LNA产品皆是采用GaAs、SiGe工艺，但是，近年来随着无线电仪器|仪表需求量的增加，LNA的制造工艺也从以往的技术，向拥有充足生产能力的CMOS工艺发展。相应于此市场趋势，本公司及时迅速地实现了采用CMOS工艺，用于GPS的LNA的批量生产。

　　XC2404A816UR-G是采用CMOS工艺实现了频率为1.6GHz、低电压驱动（1.14V～1.26V，固定偏置时）、低消耗电流（12.0mW，固定偏置时）、低NF（0.94dB、TYP.）的LNA系列产品。此外，增加1只电阻即可进行自给偏置、对应1.8V、2.85V的电源|稳压器电压。输入输出均能以少量的外置零部件实现50Ω的匹配。

　　采用了USP-8A01（1.5mm x 1.5mm x h0.6mm）小型封装，可缩小组装面积。我们还计划今后将CMOS 工艺扩大利用于GPS市场以外的新产品系列。

　　【XC2404A816UR-G 的特长】

　　● 采用低消耗功率的CMOS 工艺。

　　● 26.5dB 的高增益实现了NF=0.94dB 的低噪声指数。

　　● 可对应1.2V, 1.8V, 2.85V, 3.0V 各种工作电压。

　　▲USP-8A01 （1.5mm x 1.5mm x h0.6mm）