日期：2010-03-02 来源：

　　美国GLOBALFOUNDRIES公司和英国ARM公司共同开发了移动设备用28nm级的SoC技术，并在正于西班牙巴塞罗那市举行的 “Mobile World Congress 2010（MWC 2010）上发布。该技术基于ARM的“Cortex-A9处理器”和物理层IP内核，以及GLOBALFOUNDRIES的28nm工艺技术。 GLOBALFOUNDRIES表示，这一28nm工艺2010年下半年开始就可以使用。

　　两公司联合开发的28nm SoC技术主要面向智能手机和智能本（Smar-Book）等高性能便携终端所配备的LSI。与45/40nm工艺相比，同等功耗下运行速度可提高 40％，同等运行速度条件下功耗可减少30％。GLOBALFOUNDRIES准备有超低耗电（SLP：super low power）版和高速版（HP：high performance）版两种28nm工艺。均采用高介电率（high-k）栅极绝缘膜/金属栅极技术，沿用了原有的称为Gate First方式的的栅层叠（Gate Stack）形成工序。