日期：2010-03-08 来源：

2010年3月3日——世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation，今天宣布美国专利发行第7672151题为读的非挥发性铁电电容存储单元的方法。该专利实质性扩大Ramtron的知识产权组合。

Ramtron的首席执行官， Bill Staunton说：“我们很高兴能能为我们的one-transistor/one-capacitor（1T/1C）F-RAM存储器单元基本保障年为17年”，“目前我们正在评估知识产权的扩大以及最近其他人正在使用的一些设备，可能侵犯了这项专利的一些索赔问题。”

新的专利涉及到阅读和恢复1T/1C F-RAM存储器单元的方法，包括一个字线，位线，驱动线路，访问晶体管和一个铁电电容有两个不同极化状态等等。

关于Ramtron’s F-RAM

Ramtron率先进入半导体产品，这使一个新的非易失性存储器级的开发，称为铁电随机存取记忆体，或F-RAM的铁电材料的融合。Ramtron的铁电存储器结合了DRAM（动态随机存取存储器非易失性数据存储，或者能够保存断电数据）的高速。由于该技术商业化的大规模使用，如汽车的安全和娱乐系统，便携式医疗设备，工业过程控制系统，智能电表的申请内存设备，消费打印机墨盒等。Ramtron已售出300多万的F-RAM。作为最具权力的内存技术，F-RAM产品的承诺，为日后发展的超高效电池供电的产品和等能量收集应用铺平了道路。

关于 Ramtron

Ramtron International 总部设在美国科罗拉多州Colorado Springs市，是专门设计、开发和销售专用半导体存储器和集成半导体解决方案的无晶圆厂半导体公司，产品广泛用于各种应用和全球市场。