三星率先推20纳米制程闪存芯片重获领先地位

日期：2010-04-21

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　　据国外媒体报道，三星周一公布了采用20纳米制程生产的NAND闪存芯片，从而超越IMFlash，重新获得在闪存市场上的领先地位。IMFlash是英特尔和美光共同组建的一家合资企业。

　　三星与IMFlash在闪存芯片领域的竞争日趋激烈。今年1月，IMFlash宣布使用25纳米技术商业化生产首款NAND闪存芯片。双方在芯片生产工艺上的竞争对用户来说是一件好事，采用先进的芯片生产工艺可以降低芯片生产成本，提高芯片处理数据的速度及芯片能效，这些都是当前移动设备所必需的。

　　英特尔和三星都是芯片制造业的领先厂商，两家公司数年前并不直接竞争，英特尔专门生产微处理器，而三星则专门生产DRAM和闪存。2006年初，英特尔与美光合作成立了IMFlash，从而与三星在闪存市场直接竞争。

　　闪存芯片可以广泛应用于iPods、智能手机以及笔记本电脑中，用于存贮歌曲、图片、文件及其他数据。

　　市场研究公司Gartner的数据显示，去年英特尔的芯片营收为333亿美元，在全球芯片市场上占有14.6%的份额，三星芯片营收为177亿美元，在全球芯片市场上占有7.7%的份额。

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