日期：2010-07-13 来源：

　　据日经新闻报导，日本无晶圆厂IC设计业者Genusion计划在今年秋天委托日本从事晶圆代工的半导体厂商开始量产采用12寸晶圆的次世代闪存(Flash Memory)「B4 Flash Memory」；Genusion将于七八九月出货采用90nm制程的样品，并将于10-12月正式进行量产。据报导，「B4-Flash」为一种即便关掉电源数据也不会流失的非挥发性内存，被期待可用来替换NOR Flash，预估将可广泛应用于手机、汽车及游戏机等用途，Genusion并计划于2015年将B4-Flash营收提高至750亿日圆。

　　报导指出，NOR Flash虽拥有卓越的数据保存能力，惟难于进行小型化、具有性能提升的极限；「B4-Flash」则为Genusion以现行半导体构造为根基并导入新的动作原理，可以现有内存一半的大小进行程序储存，其数据写入速度可达NOR Flash的100倍以上、NAND Flash的10倍；另外，和现行内存相比，B4-Flash可进行制程的细微化，藉此可大幅降低每一片芯片的成本，且其耐久性也优于其它内存，除可在高温环境下进行数据保存之外，也可进行100万次的数据复写。