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日期：2010-08-12
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韩国Hynix海力士半导体公司今天宣布，已经在其韩国青州M11300mm晶圆厂开始使用20nm级制程工艺量产64Gb容量NAND闪存芯片。这是继Intel、美光合资公司今年5月宣布量产25nm工艺闪存后，第二家量产当前最先进的20nm级制程闪存的厂商。
海力士在今天的官方新闻稿中并没有明确其新工艺的具体制程，仅笼统称为“20nm级”，但根据今年2月该技术宣布时的报道，他们应用的制程应为26nm。
海力士表示，新闪存的存储密度比之前制造的32Gb颗粒提高了一倍，而由于使用了20nm级工艺，生产效率比30nm级工艺提升了60%。有了新工艺大容量闪存，海力士将可以满足新一代移动设备对更小尺寸、更大容量闪存的迫切需求。
另外海力士还同时宣布，他们已经开发出了一款结合自己30nm级32Gb闪存，以及以色列Anobit公司控制器技术的集成闪存解决方案产品，可显着提高读写速度，并改善存储设备可靠性。到今年9月，20nm级工艺NAND闪存也将实现与Anobit控制器的集成。
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