瑞晶40奈米试产成功

日期：2010-08-17

来源：

　　瑞晶（4932）在筹划上市之前利多消息频传，除半年报缴出亮丽成绩单，成为台湾DRAM每股获利王之外，上周也发出新闻稿宣布，已成功完成尔必达（Elpida）所开发之40奈米2Gb DDR3的试产，良率符合预期，接下来将朝年底100％导入量产目标迈进。

　　瑞晶总经理陈正坤表示，公司第2季已顺利完成2台浸润式微影设备（ImmersiON Scanner）之装机程序，其余设备亦将于11月底前陆续搬入装机，虽然之前机台出现递延，不过在导入制程顺利下，预计今年年底前，月产8万片（12 寸）之产能将有机会百分之百导入40奈米制程技术，提供市场主流产品2Gb DDR3。

　　目前，瑞晶拥有位于中部科学工业园区之先进12寸晶圆厂R1，除了以尔必达开发之65nm-XS制程技术，全产能8万片生产1Gb DDR3产品外；亦全力投入40奈米制程之转换计划，以提供高质量、高效能之DRAM产品。

返回列表

近期更新

动静随我智享未来 | 小华半导体参展2022（合肥）家电电源与智能控制技术研讨会

2022-09-23

上海贝岭九款车规产品入选工信部推荐目录

2022-09-21

市经济信息化工作党委副书记张义调研华大半导体

2022-06-13

中国家电的2018年：在变与不变中破茧化蝶

2019-01-09

华为宣布已获25份5G商业合同，预计今年营收突破1000亿美元

2019-01-09

Consultant related

Sales Service Line：
+86-0755-82127888

Technical Support line：
+86-0755-82127938

Complaint line：
+86-0755-82127989