英特尔美光公布存储密度更高的新型闪存芯片

日期：2010-08-19

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　　英特尔和美光当地时间周二公布了存储密度更高的NAND闪存芯片。新型芯片不仅能减少存储芯片所占空间，还能增加消费电子产品的存储容量。

　　新NAND芯片每个存储单元可以存储3位信息，存储容量高达64G位(相当于8GB)。英特尔和美光称这是它们迄今为止尺寸最小的NAND闪存芯片。

　　两家公司称，使用NAND闪存的数码相机和便携式媒体播放器等产品的尺寸越来越小。新型芯片还有助于降低制造成本。

　　两家公司已经向客户发送样品，预计将于今年底投入量产。新型NAND闪存芯片将采用 25纳米工艺生产。与每单元存储2位信息的NAND芯片相比，存储容量相同的新型芯片的尺寸减少约20%。美光NAND战略营销主管凯文?基尔巴克（Kevin Kilbuck）说，“我们在增加存储密度的同时，能够降低制造成本，增加存储容量。”

　　但是，存储密度的提高是有代价的。基尔巴克说，“新型芯片写入信息的次数有所减少。”

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