创维斥资9亿进军半导体设立设计中心

日期：2010-08-26

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　　创维在深圳斥9亿元打造的半导体设计中心正式开工，该中心建筑面积达8.51万平方米，设计内容包括视频芯片、多媒体芯片等的设计与验证。

　　据悉，创维半导体设计中心位于深圳市高新南区高新南四道与科技南十路交接处西北角，占地17025.5平方米，建筑面积85128平米；项目总投资91076万元人民币。

　　创维集团董事局主席兼CEO张学斌表示，他个人十分看好半导体设计中心项目，进军半导体将为创维下一步涉足芯片设计奠定基础，而在未来彩电业的竞争中，只有具备芯片设计能力的企业才能成为强势企业。

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