日期：2010-12-13 来源：

　　台湾NATIONal Nano Device Laboratories与美国加州大学伯克利分校（University of CALIfornia，Berkeley），共同开发出半间距极小仅为9nm的可变电阻式存储（ReRAM）单元，并确认了其功能（演讲序号19.1）。

　　该单元在实现非易失性可变电阻材料上采用了过渡金属氧化物（TMO）类的钨氧化物（WOx）。并且，为便于9nm工艺的微细加工，在上部电极和布线上使用了名为“Nano InjecTIon Lithography”的光刻技术。据称，此前的学会发布成果中，还没有过利用30nm以下工艺微细加工技术的TMO类ReRAM单元。该成果一举将微细化推进了好几代。有观点认为，“ReRAM与其他新型非易失性内存相比，材料容易加工。由此将推进单元实现小型化”（听了此次演讲的日本内存技术人员）。

　　此次的ReRAM单元所需的写入电流不到1μA，“在目前推出的ReRAM中是最低的”（National Nano Device Laboratories）。随单元的面积减小，写入电流也会随之削减。1μA这一数值“非常低，完全可以满足9nm工艺所要求的写入电流值”（National Nano Device Laboratories）。开启时与关闭时的电阻比值均约为10。

　　关于TMO类ReRAM，由于其与三维CMOS技术的兼容性优异，因此将其作为新一代非易失性内存的研究日益活跃。