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浅析半导体产业创新发展之路
日期:2011-03-02 来源:

  根据中国半导体行业协会最新统计数据显示,2010年,我国国内集成电路产业销售额1440亿元,实现近30%的高增长。在国家对研发创新给予重点投入与大力扶持的帮助下,我国半导体技术与产品创新之路也取得了显着成果。但总体来看,在半导体核心技术与产品的研发创新与产业化方面,我们还有很长的路要走,创新将是我国半导体产业发展的主旋律。
  

新兴产业方面的创新



重大专项驱动方面的创新


上下游企业协同发展加快创新


  随着技术的升级和竞争的加剧,市场竞争已经不再是单一产品的竞争,而是商业模式和产业链的竞争。在发达国家掌控核心技术、完成专利布局的情况下,我国企业利用庞大的“中国市场”,通过商业模式创新和加强产业链之间的合作,增强企业的创新实力,改善创新效果,是从“追随”实现“赶超”的有效途径。
  上海新进第二产品事业群总经理王裕仁表示,随着全球范围内的产业转移,“中国制造”正在吸引着全球生产要素的流入。在技术东移背景下,我国台湾地区和中国大陆的半导体公司有机会和系统厂商一起坐下来了解市场的真实需求,IC设计变得更加有的放矢,产品更加贴近客户需求,产业链之间的合作更加密切。中国大陆的半导体公司的创新实力会得到很多提升,未来的进步空间会更广阔。
  从整个产业链条来看,要想提高产品核心竞争力,不但企业本身掌控技术工艺要突破完善,上游支撑的材料设备也必须发展就位。“因此,支撑材料业不但要提供优质产品,而且要指导下游厂商用好材料;反之,器件电路厂商也能就工艺发展对材料提出要求,反馈提升材料产品质量。上下游的合作是非常重要的,各种方式无论合资、技术交流等都是发展创新、抗拒风险的重要手段。”有研半导体材料股份有限公司研发部经理肖清华说。

  “以华虹NEC为例,‘十一五’期间,华虹NEC承担的两个重大专项‘0.25微米~0.18微米通用BCD产品工艺开发与产业化’和‘0.18微米/0.13微米锗硅BiCMOS成套工艺技术’已取得显着成绩。其中,瞄准高端电源管理芯片市场需求而成功开发的0.18微米BCD技术平台,已于2010年12月进入量产。目前正在对世界上最前沿的0.13微米/0.18微米SiGeBiCMOS进行技术攻关,并已取得重要阶段性成果。已有两款SiGe产品进入小批量生产阶段,填补了国内空白。”高峰说。
  当然,通过重大专项带动集成电路产业创新,还应进一步优化管理方式,找准创新突破口。中国半导体行业协会集成电路设计分会副理事长魏少军认为:“重大专项要防止两个误区:一是要防止重大专项代替一切,二是要防止企业盲目跟进重大专项课题任务。”
  事实上,“核高基”等重大专项的实施,已经带动我国集成电路产业在一些核心领域取得突破。
  必需得承认,与国际先进水平相比,我国集成电路产业基础较为薄弱,企业科技创新和自我发展能力不强,应用开发水平亟待提高,产业链有待完善,我国企业在市场上还很难与跨国公司正面交锋。如何瞄准差异化市场,通过创新,培育新的增长点,是必解之题。
  联芯科技有限公司相关负责人表示,围绕战略性新兴产业,我国半导体企业应该在一些细分的半导体产品和技术领域方面进行突破:在应用领域,应优先在面向互联网应用的智能终端芯片及LTE/LTE-A终端SoC芯片领域取得突破,重点关注生物医疗电子产品、清洁能源和智能家居等方面的应用;在技术领域,应重点在多频段、低功耗的射频基带纳米技术(45nm/32nm)的SoC集成技术,面向软件无线电的射频/混合信号电路的可重构结构及其设计技术,基带、射频单芯片协同仿真设计技术等方面进行突破。
  厦门永红研究所所长助理彭淑合表示,今年是国家布局战略性新兴产业的开局之年,我国半导体产业的发展迎来又一个春天。在超大规模集成电路方面,需要对封装、引线精密制造、芯片导线接合、集成电路材料的选择、结构的设计和冷却的手段等进行技术创新;在LED照明方面,需要加大对硅衬底LED技术、核心装备MOCVD国产化、大功率白光LED技术的创新;在芯片设计和制造方面,高阶制程控制和整合、高精密度仪器、硅提纯、切片、深紫外光(EUV)或无光罩电子束、掺杂等技术创新显得尤为重要。

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