日期：2011-05-16 来源：

　　“痛并快乐着，如果人生再重来一次，我还是会选择这样走一遍。”说到自己的经历，吴汉明深有感触：一边是60多个发明专利、90多篇专著和论文的丰硕成果，一边是连续高强度的工作让他的体重至今未恢复，吴汉明却并不后悔。在他及团队的努力下，最新一代的32纳米产品也将在国家重大专项支持下问世，达到国际主流先进水平。

　　跳槽挪窝最终锁定中国

　　1978年，吴汉明成为“文革”后中国科学院的第一批研究生，理学硕士、工学博士学成后，留在中科院担任副研究员。1989年，被公派出国，进入美国加州大学伯克利分校攻读半导体等离子体工艺博士后。

　　1993年完成学业后，吴汉明回到中科院，但他发现，由于经费紧张，研发项目无法展开，一急他就直接找院长周光召，张口就要20万元。当时一个所的研究经费也往往不到几百万元。没想到，周光召给了他13万元“巨资”，吴汉明的研究拿到了国家专利，他还被破格提拔为研究员。

　　1995年，吴汉明到美国阿拉巴马一家公司工作，上手就是50万美元的项目，两年便研发出一套等离子体工艺模拟的软件，并成功销售。但吴汉明感觉自己接触不到最前沿的技术，于是跳槽到硅谷；1999年，“不安分”的吴汉明又加盟英特尔，但工作没有想象的顺利。

　　一次偶然机会，吴汉明见到中芯国际创始人张汝京，听说能“直接从当时世界最先进的0.13微米技术做起”，他感觉中国半导体真的发展起来了，到了该回去的时候了。

　　十年连续跨越四个技术代

　　“有平台，有做头。”吴汉明迫不及待地回国了，开始了他“人生中最精彩的十年”。

　　2001年，吴汉明担任中芯国际技术研发中心先进刻蚀部总监，负责0.13微米刻蚀工艺部分。当时国内的主流技术是铝互连，没有一家企业会做铜互连，“如果做不了铜互连，0.13微米以下的技术就做不了，就永远进不了纳米时代。当时很辛苦，经常一干就是凌晨两三点……”功夫不负苦心人，两年后，中芯国际率先在中国实现了铜互连。