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全球技术研究和咨询公司Gartner指出,2011年全球半导体 资本设备支出将达到448亿美元,与2010年406亿美元的支出相比,增长10.2%。 然而,Gartner分析师也指出,半导体库存出现修正,再加上晶圆
设备制造供过于求,将导致2012年半导体资本设备支出略有下滑。
Gartner执行副总裁Klaus Rinnen表示:“尽管日本的灾难性地震威胁将破坏电子产品供应链,但自我们在2011年第一季度的预测以来,资本支出和设备格局变化不大。由于日本厂商艰巨的努力,此次地震的影响已降低到最小程度。”
半导体资本设备市场的所有领域预计都将在2011年呈现增长态势(见表一)。Gartner分析师表示,2011年的支出是由积极的晶圆设备制造支出,处于领先的集成设备制造商(IDM )逻辑能力的加速生产,以及内存
公司加速双重曝光等因素推动的。2012年,半导体资本设备支出将下滑2.6%,随后将在2013年增长8.9%。随着内存
供过于求的影响,周期性的下跌应该在2013年底出现。
表一:2009-2015年全球半导体资本设备支出预测(单位:百万美元)
(来源:Gartner2011年6月)
随着半导体的持续增长,2011年全球晶圆制造设备(WFE)收入预计将增长11.7%。英特尔、晶圆和NAND支出将推动先进设备的需求,从而沉浸式光刻(immersiON lithography)、蚀刻(etch)、双重曝光中涉及的某些领域以及关键领先的逻辑制程将会受益。
2011年全球封装设备(PAE)收入的增长预计最低,为3.6%。后端制造商在2010年实现了可观的增长,但市场于去年第四季度开始放缓。随着供需趋向平衡,订单也已经放缓。从后端工艺提供商的资本支出的角度来说,适用于低成本解决方案的3D包装和铜线绑定是目前主要的侧重点。绝大多数主要工具领域将在2011年出现增长,但先进的模具表现应在今年超越总体市场。
2011年,全球自动测试设备(ATE)预计增长6.9%。Gartner2011年的增长预期是由片上系统和先进的射频 等细分领域的持续需求所推动的。随着DRAM
的资本支出软着陆,自动测试
设备内存收入很有可能在2011年回落。然而,NAND测试平台在今年仍旧保持强劲增长。
射频(简称RF)射频就是射频电流,它是一种高频交流变化电磁波的简称。每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流,大于10000次的称为高频电流,而射频就是这样一种高频电流。通常是指30MHz ~ 4GHz频段。
IDM解决方案利用中心命令动态地自动配置边缘,在访问控制、访问权限和策略实施方面,提供针对个人或小组的行为。边缘控制使交换机和接入点可以在网络边缘做出正确的决策,这样就能够轻松地管理,并且帮助公司不断地增强其网络。
半导体(semiconductor),是一种材料的的导电能力介于导体和绝缘体之间,并有负的电阻温度系数的材料。这种材料在某个温度范围内随温度升高而增加电荷载流子的浓度,电阻率下降。如硅、锗、硒等,半导体之所以得到广泛应用,是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显着。
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