行业动态
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日期：2011-07-01
来源：
市场研究机构IC Insights预测，全球功率电晶体
(power transistors)市场2011年将达到131亿美元营收规模，较2010年成长9%；该市场在 2010年的成长率为44%。IC Insights指出，功率电晶体市场的成长动力，来自汽车、可携式产品、替代能源与省电设备等应用领域。
不过 IC Insights 也指出，功率电晶体平均销售价格会出现些微下滑的迹象；该市场 2011年全球出货量预期可成长11%，达到588亿颗的新高纪录，主要得益於该元件在汽车电子、新一代再生能源系统、电池供电可携式产品，以及各类设备运用的高效率电源供应器应用领域，优於平均水准的销售表现。
在功率电晶体市场中，内建IGBT之模组销售金额，预期可在 2011年成长10%，达到25亿美元规模；同时间IGBT电晶体元件与功率 FET市场，则预测可成长9%，分别达到9.6亿美元与69亿美元的营收规模。
2011年功率电晶体市场营收预测
根据IC Insight的预测，整体功率电晶体市场营收将在2010至2015年间，取得6.4%的复合年平均成长率(CAGR)，在2015年达到163亿美元规模；同时期低电压(200V以下)功率FET市场CAGR为6.7%，到2015年营收规模可达164亿美元。
IGBT模组在2010~2015年间的CAGR预测为7.0%，在2015年达到32亿美元营收规模；同期间离散式 IGBT 电晶体的CAGR预测为6.5%，营收规模在2015年可达12亿美元。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 [全文]
电池是一种能量转化与储存的装置，它通过反映将化学能或者物理能转化为电能。电池即一种化学电源，它由两种不同成分的电化学活性电极分别组成正负两极浸泡再能提供媒体传导作用的电解质中，当连接在某一外部载体上时，通过转换其内部的化学能来提供电能。 [全文]
电晶体是现代电子电路的核心元件，主要功能是做电流的开关。和一般机械开关的区别在于电晶体是利用电信号来控制的，开关速度非常快，可以达到100GHz以上。
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