媒体报道
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南韩三星电子(Samsung Electronics) DS(Device SolutiON)事业总括部门社长权五铉,及海力士(Hynix)社长权五哲等南韩半导体 业界大老近期均异口同声表示,2011年下半内存
芯片市况将不透明。权五铉表示,一般来说,下半年内存
芯片市况应会比上半年好,然而近来变量相当多。2011年下半可能会与上半相同,半导体价格可能会大幅攀升,也可能没有任何表现。
权五哲也表示,美国经济恢复缓慢,且加上日本311地震、大陆紧缩政策、中东北非局 势不稳定、欧洲金融危机等,目前有许多全球性问题未获解决。由于内存芯片产业是受景气影响大的产业,因此市况仍不透明,而内存芯片价格最有可能在2011 年第3季末或第4季间出现反弹,然而目前仍无法肯定。
如同南韩半导体业界各首长所担忧的,近来内存芯片价格无法摆脱跌幅。据市调机构 DRAM eXange统计,DRAM DDR3 1Gb产品6月下半合约价,较6月上半下滑5.71%,为0.92美元。6月下半主要DRAM产品价格较5月下半滑落3.92%,此外,DRAM 2Gb产品也较6月下半下滑5.83%至1.94美元,和1Gb产品同样连续2个计算周期呈现下滑局面。
在日本311地震后,PC制造业者积极确保DRAM货量,使价格暂时出现升幅,然因全球经济议题影响,PC需求不振,PC业者减少DRAM库存,使DRAM价格回到跌幅。
外电指出,即使内存芯片价格下滑,在DRAM业界站稳地位的三星和海力士,相较于海外内存芯片竞争厂,仍可望维持高收益性。
南韩Kiwoom Securities常务表示,三星和海力士使用40~30奈米等级制程生产DRAM,积极撙节成本,即使目前1Gb DRAM交易价格约0.8美元,韩厂仍能维持充分的收益。
南韩业界表示,三星半导体事业2011年第2季和第3季预估将各创造2兆韩元(约18.78亿美元)及2.3兆韩元(约21.6亿美元)营业利益。海力士第2季和第3季也将各有3,200亿韩元(约3亿美元)及4,700亿韩元(约4.4亿美元)营业利益,持续提升收益。
DRAM即动态随机存储器最为常见的系统内存。为了保持数据, 必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,刷新的必要性与DRAM的结构有关,DRAM是靠其内部电容电位来记录其逻辑值的,但是电容因各方面的技术困难无可避免的有显著的漏电现象(放电现象)而使电位下降,于是需要周期性地对高电位电容进行充电而保持其稳定。
半导体(semiconductor),是一种材料的的导电能力介于导体和绝缘体之间,并有负的电阻温度系数的材料。这种材料在某个温度范围内随温度升高而增加电荷载流子的浓度,电阻率下降。如硅、锗、硒等,半导体之所以得到广泛应用,是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显着。
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