日期：2011-10-27 来源：

　TD-LTE国际化发展中一个重要环节即是芯片终端能力的成熟。在高通和意法爱立信引领下，英特尔、Nvidia、Marvell、海思等相继成为产品能力突出的厂商，纷纷计划于今年底推出多模TD-LTE芯片。此前在4G WiMAX终端芯片上领军行业的Sequans也于不久前加入了TD-LTE试验。

　　可以看出，TD-LTE获得的国际和中国芯片企业的支持力度已经远远高于TD-SCDMA时代。

　　曾有多年芯片领域经验的TD技术论坛秘书长时光对本刊记者坦言，芯片与系统设备的研发有很大不同，系统设备一旦有了底层技术，打好设备基础，功能基本实现，就离商用不远了，在提高设备可靠性、进一步优化成本后就可推向市场。而芯片从功能实现到真正上百万片出货，要经过两次以上的流片、一年甚至更久的商用前期测试和准备才能量产，这是芯片产业特定的一个规律。如果再算上协议栈的调试、物理层的调试等环节可能需要更长的时间。

　　正因此，目前在LTE市场上引领终端方向的国际、国内芯片企业都已提早布局。

　　去年在印度政府的BWA频谱拍卖中，高通赢得了2.3GHz上的一个20MHz TDD频谱，并且还在印度成立了LTE合资公司，主要进行3G和LTE互操作性测试及推动TD-LTE基础设施、芯片组和终端的商用进程。也是在去年，基于高通SnapdragON S2系列处理器和MDM9600的USB调制解调器，美国Verizon Wireless运营商于2010年12月推出全球首个大规模LTE商用网。今年，高通基于其MDM9600 3G/LTE多模芯片，又与华为在印度运营商Aircel现网上完成全球首个GSM/WCDMA/TD-LTE现网互操作测试。

　　除了国际芯片企业，国内的联芯科技、展讯、中兴等已经完成TD-LTE芯片的设计定案；联发科技多模TD-LTE（GSM/TD/TD-LTE）整体方案已经研发完成，明年有望量产。

　　据悉，高通还将推出支持LTE FDD和LTE TDD UE第4类移动宽带标准的芯片组，将支持150Mbit/s的下行峰值数据传输速率。