行业动态
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电子行业关注技术创新型企业
2015-02-10
继03—06年电子行业高速增长之后,多数电子厂商已进入产能转移的中后期,在国内外种种不利因素的影响下,国内电子行业成长能力和盈利能力出现下滑。我们认为只有技术升级能够带来提供行业发展的新契机,投资对象将从投资驱动型、成本驱动型向工艺驱动型和技术驱动型的方向转变。 技术升级是主思路 在产能转移的初期,国内企业具备较为明显的成本和价格优势,同时面临明显的进口替代空间,企业具
高压开关电触头铜钨铝碲开发成功
中国航天新闻网讯陕西中天火箭公司从2006年下半年立项开发的高压真空开关用铜钨铝碲目前获得成都国光电气股份有限公司的认可,已通过型式实验(12KV400A)并分两批6次供货800多对,这标志着中天火箭公司电触头技术开发走上一个新台阶。 铜钨铝碲作为高压真空接触器材料,截流值低,接近AgWC,电寿命长,价格便宜,远低于AgWC,是取代银碳化钨的替代材料,国外多使用价格昂贵的银碳化钨,此产品在国
ST推出STV250N55F3新款250A表面贴装功率MOSFET
意法半导体(ST)宣布推出一款250A表面贴装的功率MOSFET,新产品STV250N55F3据称拥有最低的导通电阻,可将功率转换的损耗降至最低,并且能够提升系统的性能。 新产品STV250N55F3是首款结合ST PowerSO-10TM封装和ribbon bonding技术的功率MOSFET,拥有极低的无裸晶封装电阻率。新产品采用ST的高密度STripFET III制程,典型导通电
NI推出全新PC架构示波器PXI-5154
国家仪器|仪表(NI)新推出PC架构示波器——PXI-5154,可扩充20组以上的高速、高解析度与高通道数产品。该示波器支持双通道及1GHz,具备最高2GS/s即时取样率(重复性信号可达20GS/s等时取样),适用于高速、纳秒边缘(Nanosecond-edge)速度的撷取与参数特性描述作业。 此外,该模组内建存储器可达每通道最多256MB,并以资料撷取
IR发表25V同步降压转换器DirectFET MOSFET芯片组
国际整流器公司(International Rectifier,IR)针对高频和高效率DC-DC应用,推出25V同步降压转换器DirectFET MOSFET芯片组,适用于负载点(POL)转换器设计、伺服器、高端台式电脑和笔记本电脑应用。 新25V芯片组结合IR新的HEXFET MOSFET硅技术与DirectFET封装技术,整合高密度、单一控制和单一同步MOSFET解决方案在SO-8
Anritsu更新通用型测量仪器MS269xA系列
Anritsu公司近日更新其高精确度的通用型测量仪器|仪表MS269xA系列,增加3D频谱分析仪功能、混附波发射量测、相位杂讯量测与AM/FM量测等四项新功能,以支援更有效率的研究发展与无线系统的疑难排解。 Anritsu高性能信号分析仪MS269xA系列可量测频率为50Hz至6GHz,其3D频谱分析仪功能提供了频率与信号强度对时间的3D变化资讯,最大撷取频宽高达125MHz,可稳定地
飞利浦打造世界上第一个全LED办公照明
皇家飞利浦电子公司(AEX: PHI, NYSE: PHG)近日宣布飞利浦公司将点亮世界上第一个完全采用LED照明解决方案的办公场所。这个位于巴黎香榭丽舍大街100号,属于忠利保险公司的办公场所是照明史上的一个里程碑。这是第一次完全采用LED作为功能性办公室照明,并将此功能性照明与同样采用LED的情景和氛围照明相结合。 这座办公楼的设计是由建筑师安东尼.贝舒带来的,他受忠利保险公司的委托设计
我国高压变频器市场成长初期市场的特点
据了解, 我国高压变频器市场成长初期市场有以下五个特点 1.市场规模增长速度快,潜力大。近两年市场平均增长超过40%,为数不少的厂商2007年都实现了超过100%的增长。目前该市场已经进入了稳健的快速发展通道,预计2010年前都将保持35%-40%的年均增长。 2.产品仍不成熟,技术在不断发展提高。目前主要厂商,尤其是国内厂商都在不断突破更高功率、能够实现更多功能的新产品,同时着力
功率半导体器件市场正经历转折
受到市场需求减缓以及库存调整等问题的影响,2007年,中国功率器件市场增长率较2006年出现较大幅度的下降,市场销售额为762.3亿元,比2006年增长了13.3%。 在中国功率器件市场中,电源|稳压器管理IC仍旧占据市场首要位置,MOSFET位于第二位,大功率晶体管位于第三位,此三大产品销售额占到整体市场的80%以上。IGBT销售额虽然不大,但随着其在工业控制、消费电子领域中应用的不断
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